RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
36
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3422
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link