RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
85
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
85
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
6.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1118
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link