RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
85
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
85
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1118
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link