RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
65
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
15.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
65
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2058
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link