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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
65
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
15.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
65
读取速度,GB/s
15.8
17.0
写入速度,GB/s
11.8
9.5
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2058
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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