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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
36
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2914
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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