RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2914
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link