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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
3035
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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