RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
52
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
10.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
52
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2390
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link