RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Comparar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
41
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
3753
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link