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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
41
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
16.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
3748
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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