RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Comparar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
41
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
3228
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link