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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Compara
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
3228
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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