RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Comparar
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
42
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3009
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Comparações de RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link