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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
比较
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
总分
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
13.6
17.1
写入速度,GB/s
8.4
11.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3009
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
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