RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
34
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3193
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link