RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3193
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link