RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3193
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link