RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
16.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3889
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link