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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
76
Por volta de 61% menor latência
Razões a considerar
AMD R744G2606U1S 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
76
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
8.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1809
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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