RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
76
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
76
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1809
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link