RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
76
En 61% menor latencia
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2606U1S 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
76
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1809
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link