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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
14
23
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
26.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
14
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
26.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
19.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
4362
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
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