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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
23
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
26.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
14
读取速度,GB/s
13.4
26.4
写入速度,GB/s
8.0
19.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
4362
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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