RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3017
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link