RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3017
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO M418039 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link