RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3017
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link