RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Jinyu 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Jinyu 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Jinyu 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
23
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3209
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Jinyu 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF073F-ELF 2GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link