RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Jinyu 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Jinyu 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Jinyu 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
23
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3209
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Jinyu 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Jinyu 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO M418039 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Jinyu 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link