RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
104
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
65
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2058
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link