RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
104
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2058
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link