RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
71
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2021
1650
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link