RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
71
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2021
1650
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link