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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
30
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2154
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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