RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3167
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link