RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3167
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link