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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2288
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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