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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2288
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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