RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Puntuación global
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
76
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2606U1S 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
76
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2142
1809
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link