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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Note globale
AMD R744G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
76
Autour de 46% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
76
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
1809
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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