RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2257
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link