RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
31
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
15.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3040
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link