RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
36
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2490
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link