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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.4
14.7
写入速度,GB/s
8.0
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2490
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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