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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3076
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparações de RAM
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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