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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
23
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3036
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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