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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
46
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
46
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
2388
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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