RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Comparar
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
41
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
31
Velocidade de leitura, GB/s
14.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2240
3168
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link