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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
66
Por volta de 44% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
66
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2429
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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