RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
37
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2281
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link