RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2281
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link