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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
40
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
40
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2204
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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